原边反馈恒压节造,无需光耦
集成800 V高压SiC MOSFET
集成高压启动和输入电压采样电路,表围极简
加强的PF节造算法,实现较低的THDi
功率管谷底开明,开关损耗幼
低待机功耗(<100 mW@230 Vac)
优异的线性调整率和负载调整率
优化的动态响应快率